
- 長鑫與國產DUV取得實質進展,但兩者短期內皆難以對全球HBM及先進晶片供應構成重大衝擊。
- 台積電與三星業績均超越預期,雲端收入亦維持高增長,證明AI需求未轉弱。
- 今次調整更像是市場調整和去槓桿,而非週期見頂。因此我們維持對亞洲半導體板塊的正面看法。
近日,亞洲股市經歷了一輪慘烈調整。自6月高位起計,KOSPI一度回落約34%;期間市場多次因單日急跌觸發熔斷。三星與SK海力士更曾下跌超過4成,台股亦未能倖免。
中國股市的氣氛卻截然不同,彷彿身處平行時空。長鑫存儲(CXMT)在科創板掛牌,上市首日收市大漲約466%;幾乎同一時間,國產DUV光刻機開始生產的消息亦隨之曝光。
兩則新聞很快被拼湊成一個簡單而可怕的故事:中國既擁有自己的光刻機,也誕生全球第四大DRAM廠商。下一步,是否就是廉價記憶體湧入市場,甚至進一步突破AI晶片與HBM的技術瓶頸?
另一邊廂,谷歌再次提高資本開支,第二季亦罕有地錄得負自由現金流,令投資者開始質疑:如此龐大的AI投資究竟能否持續?
在多重消息夾擊下,亞洲半導體的基本面是否已經逆轉,還是市場只是在恐慌中反應過度?
合肥政府十年布局,但仍長路漫漫
我們早前曾發文提及,長鑫存儲或是中國高科技產業崛起最具代表性的案例。不過,長鑫並非白手起家,而是佔盡天時、地利與人和。
2009年,德國DRAM廠商奇夢達(Qimonda)破產,留下約7,000項專利、一套經過量產驗證的記憶體單元架構,以及約2. 8TB技術文件。這批技術遺產令長鑫毋須由零開始摸索基礎架構與製程藍圖。
不過,技術文件不等於量產能力,若希望把紙面上的設計變成晶片,仍需經驗豐富的工程師。長鑫招攬了曾在西門子、英飛凌及奇夢達累積24年經驗的Karl-Heinz Kuesters,並從美光、三星及台灣、韓國吸納大量人才。這些工程師帶來最難複製的半導體量產經驗。
長鑫亦受惠於合肥政府的長期扶持。即使公司創業首十年持續虧損、累計虧損一度達366.5億元人民幣,資金支持仍未中斷;另外,在政府的大力支持下,封裝測試、特種氣體、晶圓再生及設備供應商亦逐步進駐廠房週邊,形成完整的本地產業生態。同時,國內強大的記憶體需求也為長鑫提供了眾多潛在客戶。
十年後,長鑫已由一個地方政府扶持的產業項目,成長為全球第四大DRAM廠商,無疑是一項實質突破。不過,若把鏡頭拉近,公司與先進水平之間仍有明顯距離。長鑫的主力產品仍建基於約1z等效的G4節點,大致相當於業界2017年的水平;2025年出貨份額約為9%,即使大幅擴產,預計到2027年亦只會升至約12%。
更關鍵的結構性劣勢來自光刻技術。三大記憶體原廠已在最關鍵的光罩層導入EUV;長鑫在缺乏EUV的情況下,只能依靠DUV及複雜的多重圖案化,達到相近的線寬,代價是成本更高、有效產能更低。其DDR5的成本仍較三大記憶體廠商高逾30%。
與市場國產等於廉價的前設正好相反。由於製程密度較低,長鑫同級DDR5晶粒面積約較三星大四成,成本亦較高;中國市場採用長鑫的64GB DDR5-5600售價高於規格相近的三星或SK海力士產品。加上現有產量尚不足以完全覆蓋本土需求,新增供應很可能優先被內需吸收,大量廉價DRAM湧入全球市場的前題仍難以成立。
相關文章:〈長鑫存儲、智譜AI與宇樹科技:中國硬科技的三種崛起之路〉
國產DUV走出生產線,離突破EUV還有多遠?
國產DUV的消息,對市場的震撼程度不亞於長鑫。據媒體引述知情人士,上海一家國資背景設備商已開始小規模生產國產浸沒式DUV光刻機,目標於2026年生產約5台,2027年增至約20台,首批設備將交付中芯國際、華虹及長鑫。由原型機走向小規模生產,無疑是中國半導體設備自主化的重要突破。
不過,開始生產並不等於已具備穩定量產能力。光刻機並非只要能夠完成曝光便算成功,還須同時滿足疊對精度、曝光速度、缺陷率、機台正常運作時間、維修效率及零部件供應穩定性等嚴格要求。報道亦指出,國產設備在整體性能及可靠性方面仍明顯落後於ASML,部分關鍵零部件亦依賴日本供應。
因此,這項進展是中國提升晶片產能自主程度的重要里程碑,值得密切關注,但遠非對ASML或全球半導體產業的毀滅性打擊。值得留意的是,長鑫當年得以追趕的五項條件,在光刻設備領域中,目前只有資本與國內需求較為明確,其餘關鍵條件仍有待建立。
表一:中國記憶體產業和光刻機產業比較
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追趕條件 |
記憶體產業(長鑫存儲) |
國產光刻機 |
判斷 |
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技術來源 |
可承接奇夢達的專利及技術文件 |
市場上沒有另一家破產的光刻設備巨頭,可供收購一套完整且經量產驗證的技術 |
明顯缺失 |
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量產人才 |
可從奇夢達、美光、三星及台韓企業大規模招攬工程師 |
或可吸納個別人才,但難以整建制複製ASML及供應商的工程團隊 |
部分具備 |
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本地生態 |
封裝測試、特種氣體、晶圓再生及設備供應商可進駐廠房週邊,逐步形成完整產業生態 |
核心光學、雷射及精密量測技術掌握在蔡司、Trumpf等高度專業化的全球供應商手中,難以在短期內複製 |
明顯缺失 |
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耐心資本 |
合肥政府長期投入,容許企業承受多年虧損 |
國家及地方政府同樣願意長期投入 |
具備 |
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需求 |
中國擁有龐大的DRAM需求,亦有本土錨定客戶 |
出口管制強化國產替代需求,晶圓廠有政策及供應安全誘因採用 |
具備,甚至更強 |
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資料來源:奕豐金融編纂 |
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中國今日的半導體生態確實比2016年成熟,但光刻機並沒有另一家奇夢達,讓中國承接一套完整且經量產驗證的技術;核心光學、光源、精密機械與量測系統亦分散於多家高度專業化的全球供應商。即使浸沒式DUV成功國產化,也不等於突破EUV,更不等於可以具競爭力地量產最先進AI晶片。長鑫花近十年才進入通用DRAM市場,光刻設備的追趕難度只會更高。
能生產DRAM,是否等於已經攻入HBM?
我們早前曾介紹過HBM的架構。HBM並非單純把多層DRAM堆疊,還涉及矽穿孔、散熱、先進封裝、控制器整合等高難度製造工藝,以及與AI晶片客戶共同設計和驗證。任何一個環節出現問題,都可能拖低整組產品的良率,因此製造難度遠高於傳統DRAM,HBM不再是完全標準化的記憶體產品,雖然價格與盈利週期仍會波動,但週期性將不像傳統記憶體那樣明顯。
三大記憶體巨頭深知HBM的戰略意義,因此把資本開支與產能優先投放於HBM。這導致傳統DDR與LPDDR供應收緊。因此在傳統記憶體方面,這股AI熱潮給予長鑫崛起的機會。若市場把它視為短期HBM供應衝擊,便可能高估了實際影響。
截至2025年底,長鑫的HBM整體良率估計約25%,相關晶圓產能約為每月5,000片,佔總產能不足2%;同年約99%收入仍來自傳統記憶體產品。募資用途亦主要投向晶圓產線、DRAM製程升級及前瞻研發,未把HBM列為獨立的大規模擴產項目。長鑫或會逐步切入中國本土HBM生態,但短期仍不足以影響全球AI記憶體供需。
相關文章:〈記憶體超級週期|技術變革,正在重寫供需邏輯〉
市場開始質疑過度的AI資本開支
然而,若只拆解中國供應衝擊,仍不足以解釋今次跌幅。市場開始擔憂AI資本開支是否已經過度。
7月22日,谷歌把全年資本開支指引由1,800至1,900億美元,上調至1,950至2,050億美元,翌日股價下跌約7%,反映投資者開始質疑,如此龐大的投入能否持續帶來足夠回報。不過,同季谷歌雲收入按年增長81.8%至247.68億美元,增速連續三季加快;營業利潤率由20.7%升至35.6%,積壓訂單達5,139億美元,管理層亦表示供應仍然受限。按年計算,每一美元新增雲端收入,約有54美仙轉化為營業利潤。至少從收入增長、增量利潤率及訂單能見度來看,尚未見到AI基建回報快速惡化的證據。
亞馬遜業績,同樣反映AI需求強勁,雲端收入按年增長37%,創18個季度以來最快增速,積壓訂單亦由上季3,640億美元增至4,960億美元。管理層更指出,即使把全年資本開支拉到約 2,200 億美元,2026年的新增算力,仍不能滿足客戶需求。
供應鏈亦未見需求轉弱。我們在前文提及,台積電因應出色的業績及對前景的信心,把全年收入增長指引上調至略高於40%,並年內第二度提高資本開支。管理層更逐一核查AI數據中心的建設及機櫃安裝,以確保自己生產的晶片真的正在被使用且產生收益。
記憶體方面,根據TrendForce,一般型DRAM合約價按季升幅預計由第一季的90%至95%、第二季的58%至63%,進一步收窄至第三季的13%至18%。不過,價格升幅放緩,並不代表需求已經見頂,最主要因為:
1. 經歷連續兩季大幅加價後,價格已處於較高基數,按季升幅自然難以維持原有水平。
2. 消費市場對高價的承受能力逐漸接近極限,部分成本開始轉化為手機及其他消費電子產品出貨量下降,短期內壓低相關記憶體需求。
3. 大型雲端客戶普遍已簽訂長期供貨協議,限制供應商的提價空間。
換言之,現時更像是價格上漲速度放緩,而不是價格轉跌;同樣也不代表記憶體需求或產業盈利已經見頂。根據SemiAnalysis,即使將CXMT、三星、SK海力士及美光已公布的新增晶圓產能全部計入,模型仍顯示2026年供應缺口將達高單位數百分比,2027年更可能擴大至低至中雙位數百分比。管理層及產業展望亦普遍預期,記憶體供應短缺至少將延續至2028年。
相關文章:〈台積電第二季業績再度超預期!為何我們如此看好亞洲半導體?〉
SK海力士業績低於預期,不代表基本面轉弱
7月29日,SK海力士公布2026年第二季業績。儘管收入及營業利益均創單季新高,但仍低於市場預期,市場亦迅速把這次落差解讀為AI記憶體週期見頂的信號,股價隨即急挫。
不過,業績低於預期,市場分析普遍把落後預期歸因於HBM4收入確認較慢、產品組合及長約定價等因素;公司本身則強調長約需求及HBM產品放量仍然穩健。以及長期供貨協議限制短期加價幅度等因素影響,未必代表基本面已經轉弱。另一方面,SK海力士已與約十家主要客戶簽訂長期供貨協議,HBM4亦已開始量產出貨,並計劃於下半年擴大產量。無論是訂單能見度、管理層展望,還是公司在HBM市場的技術及競爭優勢,目前均未見明顯惡化。
三星的業績則提供了另一個對照;第二季營收約171.5兆韓元、營業利益約89.5兆韓元,同創歷史新高,並符合或略勝市場預期,但股價反應相對平淡。半導體部門幾乎貢獻全部盈利,裝置業務反而受到零組件成本上升拖累。期內記憶體銷售按季大幅增長,管理層預期供應緊張至少延續至2028年,HBM4出貨亦將於下半年加快。
三星已與全球五大AI及數據中心客戶簽訂長期供貨協議,另有約五家客戶仍在洽談,預計長約最終可覆蓋約六至七成DRAM及NAND產能,部分協議更設有預付款及最低價格保障。與SK海力士一樣,三星正把部分記憶體業務由傳統現貨及短期合約模式,逐步轉向以長期合約鎖定需求、價格及現金流的供應模式。
比對兩家公司,一家業績創紀錄但低於被推高的市場共識,另一家同樣創紀錄並符合或略勝預期,情況更像是市場對估值及預期重新校準,而不是記憶體需求集體轉弱。
更重要的是,SK海力士只是亞洲半導體產業及相關指數的其中一部分。我們認為投資者如擔心個股風險,可考慮透過ETF部署亞洲半導體產業,降低單一企業事件對整體組合的衝擊。
以GX亞洲半導體ETF所追蹤的FactSet亞洲半導體指數為例,台積電、三星電子、SK海力士、聯發科及索尼的收入來源、終端市場及投資邏輯各有不同。在台積電及三星業績與展望仍然穩健、其他主要成分股的核心投資假設亦未被破壞的情況下,不能單憑SK海力士一次低於預期,便推論整個亞洲半導體指數的基本面已經轉弱。
表二:FactSet亞洲半導體指數前五大成分股:
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成分股 |
權重 |
業績與共識 |
指引與需求 |
投資邏輯 |
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台積電 |
17.62% |
收入達指引上限,毛利率高於上限 |
上調全年收入增長及資本開支;先進封裝與測試仍受限 |
AI與先進製程需求未轉弱;邏輯增強 |
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三星電子 |
12.86% |
收入與營業利益創紀錄,符合或略勝預期 |
已與五大AI客戶簽LTA,另五家洽談中;HBM4下半年加快出貨 |
長約料覆蓋60%至70%產能,能見度提升;邏輯增強 |
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SK海力士 |
12.80% |
收入與營業利益創紀錄,但低於較高共識 |
約十家客戶已簽長約;HBM4下半年擴產 |
單季落後預期,HBM競爭地位未逆轉 |
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聯發科 |
5.84% |
Q2營收1,521.8億元,高於指引上限 |
AI ASIC預計Q4量產 |
Google TPU/AI ASIC的需求預計將持續强勁 |
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索尼 |
5.59% |
上季影像感測器(I&SS)營業利益按年增37%,創分部紀錄 |
本財年I&SS指引偏保守,手機感測器大型化趨勢放緩;已與台積電簽MOU合組影像感測器合資公司 |
非純AI記憶體曝險;感測器需求與手機週期相關 |
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資料來源:公司公告、Global X及奕豐金融編纂 數據截至2026年7月30日 |
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投資啟示:完美預期被定價,但基本面未見轉弱
我們認為,儘管SK海力士第二季業績稍遜市場預期,但台積電與三星均達到或超越市場共識,暫未見亞洲半導體板塊的基本面轉弱。中國記憶體廠商長鑫目前仍以通用DRAM為主,國產DUV亦只是由原型機邁向小規模生產,距離通過主要晶圓廠驗證及建立穩定量產能力仍有一段距離。與此同時,谷歌雲、亞馬遜、台積電及韓國記憶體廠商的收入、盈利及訂單能見度,仍能證明市場算力需求十分強勁。
因此,今次調整更傾向於市場對早前過度樂觀預期的合理重估,並在恐慌情緒下集中去槓桿,而非AI投資週期已經結束。現階段仍未有足夠證據顯示亞洲半導體的盈利週期已經見頂,因此我們維持對板塊的正面判斷。
對看好AI算力、先進製程及記憶體長期需求的投資者而言,今次市場急跌提供具吸引力的部署時機,我們維持334港元的目標價;以7月30日收市價計算,潛在升幅約130%。
圖一:經過一輪的調整,Factset亞洲半導體指數的預期市盈率已經跌至歷史均值的一個標準差之下,估值上極具吸引力

表三:FactSet 亞洲半導體指數盈利預測及潛在升幅
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FactSet 亞洲半導體指數 |
2025A |
2026E |
2027E |
2028E |
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每股盈利 (港元) |
19.3 |
51.7 |
70.6 |
79.7 |
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盈利按年增長 (%) |
168.5% |
36.4% |
12.9% |
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目標價(基於合理市盈率20倍) |
1,594 |
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潛在升幅(%) |
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125% |
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資料來源: 彭博及奕豐金融編纂 |
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