半導體ETF｜Global X中國半導體ETF：捕捉國產替代與記憶體重估機會

• 中國半導體正同時受惠於國產替代、政策支持及 AI 算力需求升級，投資主線由「自主可控」延伸至記憶體、設備及 AI 晶片設計
• 投資者可通過Global X中國半導體ETF佈局中國半導體曝險，涵蓋半導體設備、記憶體組件、AI 晶片設計、晶圓代工及先進封裝等關鍵環節
• 不過，板塊估值已明顯反映未來增長預期，投資者應把握長期產業趨勢，同時留意估值、政策及持股集中風險

Global X 中國半導體ETF｜中國半導體的四條投資主線

主線一：中美科技博弈持續延伸

美國商務部自2022年10月以來，持續升級對中國半導體出口管制，限制範圍已從最初的高階GPU與EDA（晶片設計軟體）工具，進一步擴展至高頻寬記憶體HBM與先進製程設備。這種外部限制，反而加速了中國企業「去美化」與重建本土供應鏈的進程。在此背景下，半導體自主可控已從過去的「可選項」轉為「必選項」。

主線二：大基金三期落地，資金規模超越前兩期

國家集成電路產業投資基金第三期於2024年正式成立，註冊資本3,440億人民幣。三期重點投向半導體設備、上游材料與先進製程，預期將直接惠及：

•         國產設備龍頭：北方華創、中微公司、拓荊科技

•         晶圓代工廠：中芯國際、華虹半導體

主線三：十五五規劃（2026–2030年），將科技自立列為核心

2026年3月全國兩會正式通過的十五五規劃，新一個五年規劃明確將「科技自立自強」與「半導體自主可控」設為國家戰略；配合地方政府專項基金、中央企業集體採購碼，疊加大基金三期投放節奏，為產業中長期需求提供支持。

主線四：AI推論時代的記憶體重定價浪潮

正如我們在〈記憶體超級週期｜代幣經濟如何塑造新一輪投資機會？〉一文中指出，隨着AI代理全面普及以來，全球AI推論的瓶頸已從「算力」轉向「記憶體」。 LPDDR/SOCAMM與NAND已同時成為AI時代不可或缺的部分，亦是近期全球半導體的投資機會之一。

Global X 中國半導體 ETF｜產品定位

表一：Global X 中國半導體ETF基本資料

Global X 中國半導體ETF（3191）的年度持續收費為0.68%，與港股同類ETF（如3119亞洲半導體ETF）水平相當，但高於美股同業（SMH、SOXX 約 0.35%）近一倍。因此，投資者需留意Global X 中國半導體ETF（3191）相對較高的費用結構或會對長期回報造成拖累。

Global X 中國半導體 ETF｜持股深入分析

我們將成分股拆解為五個板塊：

圖一：Global X 中國半導體ETF板塊分布

表二：Global X 中國半導體 ETF（3191） 前十大持股

在美國對 ASML、Applied Materials（應用材料）、Lam Research（科林研發）的出口管制持續收緊下，中芯國際、長鑫存儲與長江存儲為了維持產能擴張，必須轉向採購中國國產設備。截至2025年底，中國12吋晶圓新建與擴建產線中，國產設備金額佔比已高達55%。

Global X 中國半導體 ETF（3191）設備層權重最高的北方華創是這波結構性轉向的縮影：蝕刻設備已正式導入中芯國際7奈米產線測試，並為長鑫、長江提供300層以上3D堆疊所需的先進蝕刻設備，直接接住記憶體擴產與邏輯製程推進兩端的訂單。

同樣的傳導邏輯也作用在板塊其餘成分股：拓荊科技、長川科技、華海清科三間企業分別在薄膜沉積、測試設備、CMP領域承接國產替代訂單。

2.        記憶體組件與模組：全球缺貨潮下的國產替代直接受惠者

由於全球記憶體缺貨：三星、SK海力士、美光三大原廠將晶圓產能優先分配至AI數據中心所需的HBM，導致一般DRAM與NAND的供應量急劇下降，價格亦隨之水漲船高。據TrendForce與多家機構估算，2026年第一季DRAM合約價按季上漲80%–95%，NAND Flash則按季上漲55%–60%；高盛將2026年全年DRAM漲幅預估上修至250%–280%。

中國記憶體廠商正迎來紅利

在三星、SK 海力士、美光把產能優先分配AI客戶的同時，中國本地的智慧型手機、PC、消費電子與工業客戶被迫尋找替代來源，長鑫存儲（DRAM）、長江存儲（NAND）正好填補這市場缺口，積極擴大產能。

•       長鑫存儲：FY2025營收年增155.6%、Q1 2026營收更年增719%的驚人表現；

•       長江存儲：Q1 2026營收年增約2倍。對3191持有的記憶體組件與模組廠商而言，這是可遇不可求的重大利好。

3.        AI 晶片設計：AI晶片自主化的受益者

隨着中國互聯網大廠，例如字節跳動、阿里巴巴及騰訊等，明顯上調AI資本開支指引，加上美國對高端晶片出口管制持續，中國本土AI晶片設計企業的戰略價值進一步提升。

寒武紀：是中國國產AI訓練及推理晶片龍頭，亦是3191目前最大持股。

海光信息：聚焦於x86伺服器CPU。

4.        邏輯製程與特殊應用 IC：邏輯製程自主可控承載段

由於美國出口管制持續收緊，中國晶圓代工廠難以取得最先進的EUV設備。不過，在半導體自主可控的戰略需求下，以中芯國際為首的晶圓代工廠正透過 DUV 光刻機及多重曝光技術，推進先進邏輯製程量產。

中芯國際：作為華為昇騰AI晶片的獨家代工廠，亦是N+2（約七奈米等效）製程的主要量產者，代表中國邏輯製程自主可控的核心方向。

華虹半導體：則聚焦特殊製程，包括 BCD、IGBT 等功率及類比晶片製程，受惠於汽車及工業電子需求增長。

5.        HBM 先進封裝

我們在〈記憶體超級週期｜技術變革，正在重寫供需邏輯〉中，已詳細分析HBM對AI發展的重要性。美國出口管制限制中國取得最先進的HBM，反而為國內記憶體產業鏈帶來發展窗口。其中，長鑫存儲規劃於 2026年量產HBM3，並於年底推進HBM3E量產。

HBM的製造高度依賴先進封裝技術，透過垂直互連與多層晶圓堆疊，大幅提升頻寬與傳輸效率。在國內產業鏈中，長電科技有望承接長鑫存儲HBM3／HBM3E 的後段封裝訂單，且長電科技在混合鍵合技術上的研發進度相對國内廠商領先，值得關注。

Global X 中國半導體 ETF｜中國半導體高估值的原因

以下三條催化劑是市場願意給予中國半導體高估值溢價的原因

1.        華為「韜定律」為國内晶片製造提供另一潛在可行路徑

2026 年 5 月 25 日，華為正式發布「韜定律」（Tau Scaling Law）。其核心觀點為：以「時間壓縮」取代傳統摩爾定律的「幾何縮放」，搭配邏輯折疊架構縮短訊號傳輸延遲，從而提升等效電晶體密度。華為表示，過去 6 年已基於此方法量產 381 顆晶片，2026 年秋季發布的新一代麒麟晶片將首度全面採用邏輯折疊架構。

「韜定律」為中國半導體提供了一條繞開 EUV 光刻機仍能持續推進效能的潛在可行路徑。這對作為華為昇騰獨家代工廠的中芯國際具有戰略重要性，且意味著中國半導體業在在美國制裁下取得技術進展，預計將掀起一輪價值重估。

2.        記憶體兩大巨頭雙雙加速上市進程

•       長鑫存儲已於 2026 年 5 月 27 日通過科創板上市委員會審議，計劃募資 295 億人民幣，是科創板史上第二大 IPO；市場共識上市前估值已逾 3 兆人民幣。其全球 DRAM 市佔約為 7.67%，居全球第四。

•       長江存儲母公司長江存儲控股已於 2026 年 5 月 19 日完成 IPO 輔導備案，預計 6 月中遞交正式申請，掛牌時點預估 2026 年第四季至 2027 年第一季。市場共識上市前估值 2–3 兆人民幣。

不過，長鑫存儲與長江存儲尚未上市，因此3191 並非直接持有中國記憶體「雙雄」，而是透過相關設備、材料、封測、記憶體模組及 AI 算力需求端公司，間接捕捉其價值重估的機會。隨着兩家公司上市進程推進，相信將進一步提振中國記憶體板塊的投資氣氛，短期內有利相關板塊表現。

3.        互聯網大廠 AI 資本開支加速、ASIC 國產化提速

中國互聯網大廠（位字節跳動、阿里巴巴、騰訊等）自 2025 年下半年起明顯上修 AI 資本開支指引。由於無法取得西方高階 GPU，國產晶片已成為訓練與推理算力的關鍵替代品。利好寒武紀、海光等國内晶片設計商。

Global X 中國半導體 ETF｜風險因素

•       估值風險：3191所追蹤的FactSet中國半導體指數預測市盈率已高於歷史均值兩個標準差；按 2028 年盈利推算，當前股價已完全反映未來三年高速增長，安全邊際接近於零。寒武紀、北方華創、中芯國際等多檔成分股市盈率處於歷史高位。

•       政策風險：美國 BIS 進一步擴大實體清單、或加強對美國原產設備／材料的二次禁運，可能直接打擊中芯國際、北方華創等核心持股。

•       持股集中風險：前 5 大持股佔約 49%，A 股科創板單日漲跌停板限制可能放大 ETF 折溢價波動。

Global X 中國半導體 ETF | 投資啟示

根據表五，即便假設 2026–2028年每股盈利連續高速成長，到2028年底，按當前股價推算的潛在升幅僅為-1%，代表市場目前已經把未來三年的高速增長完全反映在股價中。另外，對長線投資人而言，0.68% 的年化費用在 10 年複利下將累積成約6.6%的回報拖累。加上較高的估值，現時可能並不是投資該ETF的最佳時機。

對於想參與「全球記憶體重定價」主線、又希望在估值上獲得更高安全邊際的投資人，Global X 亞洲半導體 ETF(HKEX:3119）也許是更佳選擇。

表四：SMH / 3119 / 3191 三邊對比

表五：FactSet 中國半導體淨總回報指數預測